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Un teléfono con mil gigas de memoria ram

La Universidad Rice, de Huston (Texas), trabaja en un nuevo tipo de memoria, llamado RRAM (las actuales se denominan RAM), que convertirá los ordenadores de próxima generación en aparatos mucho más veloces que los actuales.
La diferencia con otras investigaciones está en la utilización del óxido de silicio que implantará hasta 1 Terabyte de memoria en un espacio no mayor que un sello de correos.
Se estima que los primeros celulares móviles con esta técnica estarán disponibles entes de cinco años, aunque los automóviles ya la utilizarán durante los próximos doce meses.