El uso de óxido de silicio
La Universidad Rice, de Huston (Texas), trabaja en un nuevo tipo de memoria, llamado RRAM (las actuales se denominan RAM), que convertirá los ordenadores de próxima generación en aparatos mucho más veloces que los actuales. La diferencia con otras investigaciones está en la utilización del óxido de silicio que implantará hasta 1 Terabyte de memoria en un espacio no mayor que un sello de correos. Se estima que los primeros celulares móviles con esta técnica estarán disponibles entes de cinco años, aunque los automóviles ya la utilizarán durante los próximos doce meses.
¿Qué es la memoria RRAM?
La RRAM está en desarrollo en todo el mundo y se espera que suplante la tecnología de memoria flash en el mercado dentro de pocos años, ya que es más rápida que la memoria flash y puede contener mucha más información en menos espacio. Por ejemplo, los fabricantes han anunciado planes para la RRAM con prototipos de chips que sean capaces de almacenar alrededor de un terabyte de datos en un dispositivo del tamaño de un sello de correos, es decir, más de 50 veces la densidad de datos de la tecnología de memoria flash actual.
James Tour y colegas comenzaron a trabajar en su avance la tecnología RRAM hace más de cinco años. El concepto básico detrás de los dispositivos de memoria resistivas es la inserción de un material dieléctrico –uno que normalmente no conduce la electricidad– entre dos cables. Cuando se aplica un voltaje suficientemente alto a través de los cables, se forma una vía estrecha de conducción a través del material dieléctrico.
La presencia o ausencia de estas vías de conducción pueden ser utilizadas para representar los 1 y 0 binarios de datos digitales. La investigación con un número de materiales dieléctricos en la última década ha demostrado que tales vías de conducción se pueden formar, rotas y reformadas miles de veces, lo que significa que la RRAM se puede utilizar como la base de la memoria de acceso aleatorio regrabable.
El ingrediente clave de RRAM de Rice es su componente dieléctrico de óxido de silicio. El silicio es el elemento más abundante en la Tierra y el ingrediente básico en los microchips convencionales. Las tecnologías de fabricación microelectrónica, basadas en el silicio, se han generalizado y son de fácil comprensión, pero hasta que fueron descubiertas, en 2010, las vías de filamentos conductores en óxido de silicio en el laboratorio de James Tour, el material no se consideró como una buena opción para la RRAM.
Un desarrollo constante
Desde entonces, el equipo de Tour ha desarrollado aún más su RRAM e incluso lo ha utilizado para los nuevos dispositivos como los chips de memoria flexibles transparentes . Al mismo tiempo, los investigadores también llevaron a cabo un sinnúmero de pruebas para comparar la validez de la memoria de óxido de silicio que compite actualmente con tecnologías RRAM dieléctricas.
En el último estudio, un equipo dirigido por el autor principal y Rice investigador Gunuk Wang demostró que el uso de una versión porosa de óxido de silicio podría mejorar de manera apreciable la RRAM de Rice. En primer lugar, el material poroso reduce el «forming voltage» –la energía necesaria para formar las vías de conducción– a menos de dos voltios, una mejora 13 veces mejor que la anterior lograda por el mismo equipo. Además, el óxido de silicio poroso también permitió que el equipo de Tour eliminara la necesidad de una «“device edge structure».
Su utilización está entrando en la fase comercial
El Dr. Gunuk Wang, otro de los investigadores, ha sido concluyente:
«Este es un logro importante, y ya nos han contactado varias empresas interesadas en adquirir esta nueva tecnología».
PARA SABER MÁS…
Te sugiero entrar en el siguiente enlace de la Universidad de Rice:
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